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MS8258D

主要特点

主要特点

◼ 高增益带宽积:7GHz

◼ 解补偿,增益≥ 7V/V(稳定)

◼ 超低偏置电流 MOSFET 输入:2pA

◼ 低输入电压噪声:3nV/√Hz

◼ 压摆率: 2000V/µs

◼ 宽输入共模范围:

 -低于正电源 1.4V

 -高于负电源 0.2V

◼ TIA 配置下的输出摆幅:2.5Vpp (VDD=5V)

◼ 电源电压范围:3.3V 至 5.5V

◼ 静态电流:25mA

◼ DFN8 封装

◼ 温度范围:-40°C 至+125°C