主要特点
◼ 高增益带宽积：7GHz
◼ 解补偿，增益≥ 7V/V（稳定）
◼ 超低偏置电流 MOSFET 输入：2pA
◼ 低输入电压噪声：3nV/√Hz
◼ 压摆率： 2000V/µs
◼ 宽输入共模范围：
-低于正电源 1.4V
-高于负电源 0.2V
◼ TIA 配置下的输出摆幅：2.5Vpp (VDD=5V)
◼ 电源电压范围：3.3V 至 5.5V
◼ 静态电流：25mA
◼ DFN8 封装
◼ 温度范围：-40°C 至+125°C
